[发明专利]一种基于多孔硅和聚合物的神经电极及其制作工艺和应用有效

专利信息
申请号: 201710695756.6 申请日: 2017-08-15
公开(公告)号: CN107473175B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 薛宁;薛德林 申请(专利权)人: 薛宁
主分类号: B81B1/00 分类号: B81B1/00;B81C1/00;A61B5/04
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富;周秀梅
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于多孔硅和聚合物的神经电极及其制作工艺和应用,属于电学传感器技术领域。该神经电极包括衬底层和衬底层上面的结构层,所述结构层为柔性聚合物‑电极材料层‑柔性聚合物的三明治结构,其中:所述衬底层是由多孔硅衬底和硅衬底组成;所述结构层的上表面分别设有电极触点Ⅰ和电极触点Ⅱ;电极触点Ⅰ用于脑信号记录触点,电极触点Ⅱ与外引线键合后与脑外部神经信号采集装置相连接。该神经电极用于脑神经信号的监测,多孔硅部分插入脑组织后,在脑组织的弱碱性环境中,多孔硅生成可溶性物质。该神经电极具有体积小、多通道、低功耗、成本低、性能稳定性强等特点。
搜索关键词: 一种 基于 多孔 聚合物 神经 电极 及其 制作 工艺 应用
【主权项】:
1.一种基于多孔硅和聚合物的神经电极,其特征在于:该神经电极包括衬底层和衬底层上面的结构层,所述结构层为柔性聚合物‑电极材料层‑柔性聚合物的三明治结构,其中:所述衬底层是由多孔硅衬底和硅衬底组成;所述结构层的上表面分别开设孔Ⅰ和孔Ⅱ,孔Ⅰ和孔Ⅱ内分别沉积金属材料作为电极触点Ⅰ和电极触点Ⅱ;其中电极触点Ⅰ用于脑信号记录触点,电极触点Ⅱ与外引线键合后与脑外部神经信号采集装置相连接;所述衬底层和结构层之间设置电学绝缘层,所述电学绝缘层为氧化硅或氮化硅层;所述硅衬底为高导电硅材料;所述多孔硅衬底的孔隙率为40‑70%;所述神经电极中,用于插入脑组织的部分以多孔硅为衬底,脑组织外部以硅为衬底的部分置于颅骨以下的位置;其中:用于插入脑组织的部分其端部为多孔硅;神经电极插入脑组织部分的宽度小于在脑组织外部的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于薛宁,未经薛宁许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710695756.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top