[发明专利]发光二极管芯片有效
申请号: | 201710696041.2 | 申请日: | 2012-08-23 |
公开(公告)号: | CN107516703B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | K.佩尔茨尔迈尔;K.格尔克;R.瓦尔特;K.恩格尔;G.魏斯;M.毛特;S.拉梅尔斯贝格尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/56;H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种发光二极管芯片,带有半导体层序列,所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层,其中该发光二极管芯片在前侧上具有辐射出射面,在与所述辐射出射面相对的背侧上,所述发光二极管芯片至少局部地具有反射膜层,该反射膜层包含银,在所述反射膜层上布置有保护层,所述保护层具有透明导电氧化物,所述反射膜层在与所述保护层相对的界面上邻接于所述半导体层序列,第一电连接层被布置在所述保护层的与所述反射膜层相对的侧上,所述第一电连接层由多个子层形成,以及所述子层从所述反射膜层出发包括铂层、金层和钛层。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
1.发光二极管芯片(1),带有半导体层序列(2),所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射(13)的有源层(3),其中‑该发光二极管芯片(1)在前侧上具有辐射出射面(4),‑在与所述辐射出射面(4)相对的背侧上,所述发光二极管芯片(1)至少局部地具有反射膜层(5),该反射膜层包含银,‑在所述反射膜层(5)上布置有保护层(6),‑所述保护层(6)具有透明导电氧化物,‑所述反射膜层(5)在与所述保护层(6)相对的界面上邻接于所述半导体层序列(2),‑第一电连接层(10)被布置在所述保护层(6)的与所述反射膜层(5)相对的侧上,‑所述第一电连接层(10)由多个子层(7,8,9)形成,以及‑所述子层(7,8,9)从所述反射膜层(5)出发包括铂层(7)、金层(8)和钛层(9)。
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