[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

摘要

本发明有关一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于基板上配置有第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层，于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层间配置有发光层，发光层具有多重量子阱结构，多重量子阱结构包含多个彼此交替堆栈的阱层及阻障层，且每两阻障层间具有一阱层，阻障层为Al_xIn_yGa_1‑x‑yN，x及y满足0zGa_1‑zN，0

主权项

1.一种氮化物半导体结构，其特征在于，包括：一第一型掺杂半导体层；一发光层，包括一多重量子阱结构；一AlGaN基础的(AlGaN based)第二型载子阻隔层；一第二型掺杂半导体层，其中所述AlGaN基础的第二型载子阻隔层配置于所述第二型掺杂半导体层与所述发光层之间，而所述发光层配置于所述AlGaN基础的第二型载子阻隔层与所述第一型掺杂半导体层之间，且所述多重量子阱结构包括交替堆叠的多个GaN基础的阻隔层以及多个InGaN基础的阱层；以及一InGaN基础的空穴提供层，所述InGaN基础的空穴提供层配置于所述发光层与所述AlGaN基础的第二型载子阻隔层之间，所述InGaN基础的空穴提供层中掺杂有浓度大于10¹⁷cm^‑3的第四主族元素。