[发明专利]一种金属基薄膜传感器用渐变过渡层及制备方法有效
申请号: | 201710703408.9 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN107574415B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 赵晓辉;刘子良;刘洋;蒋洪川;张万里 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/16;C23C14/08;C23C14/58 |
代理公司: | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种金属基薄膜传感器用渐变过渡层及制备方法,属于薄膜传感器技术领域。包括三层结构,自下而上依次为NiCrAlY合金层、NiCrAlY合金和Al | ||
搜索关键词: | 热处理 薄膜生长 渐变过渡 镍基合金 梯度层 薄膜传感器 金属基薄膜 热处理气氛 扩散 大气环境 富氧环境 高温处理 浓度递增 三层结构 时间缩短 温度降低 传感器 传统的 过渡层 速率和 制备 递减 | ||
【主权项】:
1.一种金属基薄膜传感器用渐变过渡层,包括三层结构,自下而上依次为NiCrAlY合金层、NiCrAlY合金和Al
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