[发明专利]优化紫外LED发光层的外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种优化紫外LED发光层的外延结构，外延结构从下向上依次包括：蓝宝石衬底、高温UGaN层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、有源区多量子阱发光层和P型GaN层；有源区多量子阱发光层由3‑30个周期的In_xGa_1‑xN/AlGaN多量子阱组成，In_xGa_1‑xN/AlGaN多量子阱还包括其阱层后的覆盖层，所述覆盖层中掺杂的Al组分渐变生长，所述Al组分的通入先斜坡式渐变升高，再匀速，最后斜坡式渐变减少，两次斜坡式渐变过程的时间和速率相同，且Al组分的量是多量子垒中Al组分的1％—60％。本发明的外延结构的生长方法可以减少电子泄露，减少非辐射复合，增强电子在量子阱的分布，电流均匀扩展，是提高效率紫外LED发光效率的有效方法，同时器件具有良好的发光效率，进而提高器件的光电性能。

主权项

1.一种优化紫外LED发光层的外延结构，其特征在于，所述外延结构从下向上依次包括：蓝宝石衬底；位于所述蓝宝石衬底上的高温UGaN层；位于所述高温UGaN层上的N型GaN层；位于所述N型GaN层上的多量子阱结构MQW；位于所述多量子阱结构MQW上的有源区多量子阱发光层；位于所述有源区多量子阱发光层上的P型GaN层；所述有源区多量子阱发光层由3‑30个周期的InxGa1‑xN/AlGaN多量子阱组成，所述InxGa1‑xN/AlGaN多量子阱还包括其阱层后的覆盖层，所述覆盖层中掺杂的Al组分渐变生长，所述Al组分的通入先斜坡式渐变升高，再匀速，最后斜坡式渐变减少，且两次斜坡式渐变过程的时间和速率相同，所述InxGa1‑xN/AlGaN多量子阱中覆盖层Al组分的量是多量子垒中Al组分的1％‑60％。