[发明专利]基于同步电源技术的串联IGBT同步控制装置

摘要

本发明公开了基于同步电源技术的串联IGBT同步控制装置，包括IGBT驱动模块和IGBT同步控制模块，所述IGBT同步控制模块与IGBT驱动模块之间通过线圈对高频电流耦合进行信号的传递；所述IGBT驱动模块用于驱动IGBT导通工作；所述IGBT同步控制模块用于产生高频电流信号控制IGBT驱动模块。本发明通过同步电源技术解决了串联的IGBT的同步启动问题，串联的多个IGBT同时接收同一个IGBT同步控制模块发出的高频电流信号，能够实现多个IGBT的同步启动，避免由于控制信号的不同步造成设备的损伤。

主权项

1.基于同步电源技术的串联IGBT同步控制装置，其特征在于，包括IGBT驱动模块和IGBT同步控制模块，所述IGBT同步控制模块与IGBT驱动模块之间通过线圈对高频电流耦合进行信号的传递；所述IGBT驱动模块用于驱动IGBT导通工作；所述IGBT同步控制模块用于产生高频电流信号控制IGBT驱动模块；所述IGBT同步控制模块包括MOSFET管Q1、MOSFET管Q2、MOSFET管Q3、MOSFET管Q4、电解电容C33、电容C34、电感T4、变压器T5、电容C35、电阻R10、电阻R11和开关S1，所述MOSFET管Q1的漏极连接直流电源，MOSFET管Q1的源极连接电容C34，电容C34另一端连接电感T4，电感T4的另一端与变压器T5的一级绕组的一端连接；变压器T5一级绕组的另一端与电解电容C33的负极连接，电解电容C33的正极与直流电源连接；所述MOSFET管Q2的漏极连接在MOSFET管Q1与电容C34连接的线路上，MOSFET管Q2的源极连接在变压器T5与电解电容C33连接的线路上；在变压器T5的初级绕组两端还连接有一个发射高频电流信号的初级绕组，所述MOSFET管Q3和MOSFET管Q4串联后连接在发射高频电流信号的初级绕组与变压器T5连接的线路上，其中，MOSFET管Q4的源极与MOSFET管Q3的源极连接，MOSFET管Q4的漏极与发射高频电流信号的初级绕组连接，MOSFET管Q3的漏极连接在变压器T5与MOSFET管Q2连接的线路上；所述MOSFET管Q4的栅极与MOSFET管Q3的栅极连接；变压器T5的二次绕组的两端分别连接在整流桥V2的两个输入端，整流桥V2的两个输出端连接有开关S1，所述电容C35并联在开关S1两端，所述电阻R10并联在电容C35两端；所述电阻R11串联在电阻R10与开关S1连接的一条线路上，所述MOSFET管Q4的栅极与MOSFET管Q3的栅极连接后形成的节点连接在电阻R11与开关S1连接的线路上。