[发明专利]使用模型确定与等离子体系统关联的晶片偏置

摘要

本发明涉及使用模型确定与等离子体系统关联的晶片偏置，具体描述了用于确定晶片偏置的系统和方法。这些方法中的一种包括：检测发生器的输出以识别出发生器输出复电压和电流(V&I)。所述发生器耦合到阻抗匹配电路，而所述阻抗匹配电路耦合到静电卡盘(ESC)。该方法进一步包括：从所述发生器输出复V&I确定沿着所述阻抗匹配电路的模型的输出和所述ESC的模型之间的路径的点处的投射的复V&I。所述投射的复V&I的确定的操作使用所述路径的至少部分的模型来执行。该方法包括施加所述投射的复V&I作为函数的输入以将所述投射的复V&I映射到在所述ESC模型处的晶片偏置值。

主权项

1.一种用于确定晶片偏置的方法，所述方法包括：从发生器的输出接收测量的复电压和电流，所述发生器的输出经由射频(RF)缆线耦合到阻抗匹配电路的输入，所述阻抗匹配电路经由射频传输线耦合到等离子体室静电卡盘(ESC)；从所述测量的复电压和电流确定沿着从所述阻抗匹配电路的模型的输出到所述静电卡盘的模型的输出的路径的点处的投射的复电压和电流，所述投射的复电压和电流的确定使用所述路径的至少一部分的模型来执行，所述路径的至少一部分的模型具有沿着所述路径的物理部件的特征；和施加所述投射的复电压和电流作为函数的输入以将所述投射的复电压和电流映射到在所述静电卡盘(ESC)模型的输出处的晶片偏置值。