[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710706987.2 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107482093B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，所述量子阱包括依次层叠的第一铟镓氮层、AlxGa1‑xN层和第二铟镓氮层，0≤x≤1。本发明通过在量子阱中的铟镓氮层中插入AlxGa1‑xN层，AlxGa1‑xN层可以阻挡铟镓氮层由于低温生长产生的缺陷和位错延伸，避免极化应力的产生，改善量子阱的生长质量，有利于量子阱中电子和空穴的复合，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，其特征在于，所述量子阱包括依次层叠的第一铟镓氮层、AlxGa1‑xN层和第二铟镓氮层，0≤x≤1；当所述量子阱与所述N型氮化镓层的间距小于与所述电子阻挡层的间距时，所述量子阱中所述第一铟镓氮层的厚度大于所述第二铟镓氮层的厚度；当所述量子阱与所述N型氮化镓层的间距等于与所述电子阻挡层的间距时，所述量子阱中所述第一铟镓氮层的厚度等于所述第二铟镓氮层的厚度；当所述量子阱与所述N型氮化镓层的间距大于与所述电子阻挡层的间距时，所述量子阱中所述第一铟镓氮层的厚度小于所述第二铟镓氮层的厚度；各个所述量子阱中所述第一铟镓氮层的厚度与所述第二铟镓氮层的厚度之差沿所述外延片的层叠方向逐层减小。
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