[发明专利]半导体结构在审

专利信息
申请号: 201710707659.4 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN108735657A 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 林柏均;朱金龙 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;丛芳
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体结构,其包含基板、至少一个半导体元件、硅通孔以及屏蔽结构。基板具有前侧表面与后侧表面。半导体元件设置于前侧表面。硅通孔设置于基板中,其中硅通孔裸露于前侧表面与后侧表面,且硅通孔电性连接半导体元件。屏蔽结构设置于基板中且围绕硅通孔,其中屏蔽结构裸露于前侧表面,屏蔽结构与硅通孔电性绝缘,且屏蔽结构电性连接电源端或接地端。屏蔽结构将会电性连接电源端或接地端,所以屏蔽结构的电压可以维持不变,有效地产生屏蔽的效果。
搜索关键词: 屏蔽结构 硅通孔 前侧表面 基板 半导体元件 电性连接电源 半导体结构 后侧表面 接地端 裸露 电性绝缘 电性连接 有效地 屏蔽
【主权项】:
1.一种半导体结构,其特征在于,包含:基板,具有前侧表面与后侧表面;至少一个半导体元件,设置于所述前侧表面;硅通孔,设置于所述基板中,其中所述硅通孔裸露于所述前侧表面与所述后侧表面,且所述硅通孔电性连接所述半导体元件;以及屏蔽结构,设置于所述基板中且围绕所述硅通孔,其中所述屏蔽结构裸露于所述前侧表面,所述屏蔽结构与所述硅通孔电性绝缘,且所述屏蔽结构用以电性连接电源端或接地端。
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