[发明专利]鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极在审
| 申请号： | 201710708536.2 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107644809A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 周亚夫;许辰雨 | 申请（专利权）人： | 北京工业职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张子青,刘芳 |
| 地址： | 100042 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的鳍式场效应晶体管的栅极制备方法及栅极，通过采用对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底，在衬底层的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层，对第一淀积层进行热氧化处理，以使第一淀积层中的锗元素扩散至衬底，并在衬底靠近所述第一淀积层的区域形成锗元素注入层，刻蚀经热氧化处理后的第一淀积层，直至所述锗元素注入层完全露出，在所述锗元素注入层的表面依次形成栅极绝缘层和栅电极层，对所述衬底、所述锗元素注入层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层进行栅极图形化处理，形成栅极的方式，从而使得在栅极中心区域形成氧化层，有效的阻断了源极和漏极之间的漏电通道，避免漏电损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 栅极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的栅极制备方法，其特征在于，包括：对二氧化硅基底进行刻蚀，形成具有鳍片结构的衬底；在所述衬底的表面淀积硅元素和锗元素，形成第一淀积层；对所述第一淀积层进行热氧化处理，以使所述第一淀积层中的锗元素扩散至所述衬底，并在所述衬底靠近所述第一淀积层的区域形成锗元素注入层；刻蚀经热氧化处理后的第一淀积层，直至所述锗元素注入层完全露出；在所述锗元素注入层的表面依次形成栅极绝缘层和栅电极层；对所述衬底、所述锗元素注入层、所述栅极绝缘层和所述栅电极层进行栅极图形化处理，形成栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业职业技术学院，未经北京工业职业技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710708536.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合板自动生产线中的折弯机组
- 下一篇：一种自动控制的绳状机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
