[发明专利]蚀刻设备有效
申请号: | 201710710136.5 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107507793B | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 何敏博 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种蚀刻设备,包括蚀刻腔室,以及收容所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板;下电极板设于所述承载平台上,上电极板设于所述蚀刻腔室顶部,两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对承载平台移动,两个遮挡板以所述承载平台的轴线对称设置,每一遮挡板在承载平台的表面的正投影由承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸,遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等,所述基板由轴心向外包括中心区和边缘区,通过改变所述遮挡板垂直于所述半径方向的宽度或者/和承载平台旋转的旋转角速度以使位于基板的中心区和边缘区被蚀刻深度相同。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 设备 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻设备,用于蚀刻一基板,其特征在于,包括蚀刻腔室,以及收容于所述蚀刻腔室的可旋转的承载平台、与所述承载平台的表面平行的上电极板、下电极板及两个遮挡板;所述下电极板设于所述承载平台上,所述上电极板设于所述蚀刻腔室顶部位于下电极板正上方,所述两个遮挡板设于所述上电极板与下电极板之间且所述遮挡板相对所述承载平台移动,/n所述两个遮挡板与所述承载平台的表面平行相对,并且以所述承载平台的轴线对称设置,每一所述遮挡板在所述承载平台的表面的正投影由所述承载平台的轴心沿着承载平台的旋转轨迹的半径延伸,所述遮挡板正投影的长度与所述半径长度相等,所述两个遮挡板的正投影位于同一条直径所在直线上;/n所述基板放置于所述承载平台上,所述基板由轴心向外包括中心区和边缘区,通过改变所述遮挡板垂直于所述半径方向的宽度以使位于所述基板的中心区和边缘区被蚀刻深度相同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造