[发明专利]一种半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201710713087.0 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN109399555A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐;张新伟;周国平;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法。所述方法包括：提供SOI基底，所述SOI基底包括自下而上的体硅、氧化埋层和顶层硅；图案化所述顶层硅，以在所述顶层硅中形成若干相互间隔的孔；执行退火步骤，以使由所述孔相间隔的所述顶层硅迁移，进而形成空腔；蚀刻所述空腔外侧的所述顶层硅，以形成上电极，同时露出部分所述体硅，以形成下电极。本发明提供的空腔的制备方法，与CMOS工艺兼容，可实现SON(silicon on nothing)器件与薄膜传感器的集成；制造工艺相对简单，对设备要求低，极大的降低了工艺成本，而且进一步提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 顶层硅 空腔 制备 半导体器件 基底 体硅 蚀刻 退火 薄膜传感器 工艺成本 氧化埋层 制造工艺 电极 对设备 图案化 下电极 良率 兼容 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供SOI基底，所述SOI基底包括自下而上的体硅、氧化埋层和顶层硅；图案化所述顶层硅，以在所述顶层硅中形成若干相互间隔的孔；执行退火步骤，以使由所述孔相间隔的所述顶层硅迁移，进而形成空腔；蚀刻所述空腔外侧的所述顶层硅，以形成上电极，同时露出部分所述体硅，以形成下电极。
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