[发明专利]一种功率器件的终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201710713690.9 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107482050B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 颜世桃;史波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 44372 深圳市六加知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施方式涉及一种功率器件终端结构及其制造方法，所述功率器件终端结构包括：衬底、设置于所述衬底上的外延层、结终端扩展区。结终端扩展区位于所述外延层中，衬底和外延层具有第一传导类型的半导体材料，结终端扩展区具有第二传导类型的半导体材料。本发明实施例通过将终端结构的结终端扩展区的第一表面和第二表面均设置成阶梯状，且阶梯均从靠近主结的一端到远离主结的一端呈下降趋势，使第一表面和第二表面间的距离，从靠近主结的一端到远离主结的一端呈递减趋势。从而可以实现从主结到终端结构的电荷量浓度变化，呈梯度逐渐均匀递减，可以有效地缓解电场集中现象，提高功率器件的反向阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件的终端结构，所述功率器件的终端结构与功率器件的主结相邻设置，其特征在于，所述功率器件的终端结构包括：/n衬底，具有第一传导类型的半导体材料；/n外延层，设置于所述衬底上，并具有所述第一传导类型的半导体材料:/n结终端扩展区，位于所述外延层中，具有第二传导类型的半导体材料，所述结终端扩展区具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述外延层接触，所述第一表面与所述第二表面相对，所述第一表面和所述第二表面均呈阶梯状，所述第一表面和所述第二表面间的距离，从所述结终端扩展区靠近所述主结的一端到远离所述主结的一端呈递减趋势；/n其中，所述第一传导类型的半导体材料与所述第二传导类型的半导体材料的传导类型相异；/n所述主结包括主结区，所述主结区具有第二传导类型的半导体材料，所述主结区具有第三表面和第四表面，所述第四表面与所述主结的外延层接触，所述第三表面与所述第四表面相对；/n所述结终端扩展区的第一表面与所述第三表面形成台阶，所述台阶从所述第三表面到所述第一表面呈下降趋势；/n所述结终端扩展区的第二表面与所述主结区的第四表面形成台阶，所述台阶从所述第四表面到所述第二表面呈下降趋势。/n
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