[发明专利]一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺

摘要

本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置，用于x轴方向磁场分量的检测，另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置，用于y轴方向磁场分量的检测；并且，在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。所述制作工艺结合微电子机械加工技术和双极型工艺，实现了所述单片集成化传感器芯片的工艺制作。本发明所述单片集成二维磁场传感器结构简单，实现了二维磁场的检测，芯片实现了小型化和单片集成化。

主权项

一种单片集成二维磁场传感器，其特征在于，所述传感器包括作为器件层的第一硅片(1)和作为衬底的第二硅片(2)，其中，在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管，分别为硅磁敏三极管一(SMST1)、硅磁敏三极管二(SMST2)、硅磁敏三极管三(SMST3)和硅磁敏三极管四(SMST4)；所述硅磁敏三极管包括基极、发射极和集电极。