[发明专利]防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法，通过在电路硅片芯片外围区域的硅衬底上、下表面形成相连通的中空第一、第二沟槽，与位于其下方第一介质层中的保护环结合，在芯片内部区域外围形成一个复合的保护环结构，使得在划片槽区域因划片损伤造成的裂缝被中空的第一、第二沟槽屏蔽，不会进一步沿着硅衬底一直延伸到芯片内部区域，因此不会对芯片造成不良影响，从而保证了CMOS图像传感器的性能和功能，提高了成品率和可靠性。

主权项

一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构，其特征在于，至少包括一电路硅片；所述电路硅片自上而下包括：硅衬底、第一介质层；所述电路硅片设有多个芯片区域，所述芯片区域包括芯片内部区域和围绕芯片内部区域的芯片外围区域，各芯片区域之间围绕设有划片槽区域；所述芯片内部区域包括：设于硅衬底下表面用于感光的像素单元阵列和设于第一介质层中的第一金属互连层；所述芯片外围区域包括：设于第一介质层中并围绕芯片内部区域的保护环，设于硅衬底下表面并围绕芯片内部区域的第一沟槽，以及设于硅衬底上表面并围绕芯片内部区域的第二沟槽；所述第一沟槽、第二沟槽为相连的中空沟槽结构。