[发明专利]一种LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明提出了一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底内的具有第一掺杂类型的阱区上形成阻隔层，所述阻隔层具有用于定义位于阱区上层部分的第一区域的窗口，且具有位于窗口两边的侧壁；通过阻隔层的窗口向阱区内注入具有第二掺杂类型的杂质，形成第一区域；采用大角度倾斜的杂质注入，向第一区域内注入具有第一掺杂类型的杂质，形成用于第一晶体管的第二区域，及用于第二晶体管的第三区域；以及形成位于第二区域和第三区域之间的、用于第一晶体管与第二晶体管的第四区域。

主权项

一种制造半导体器件的工艺流程，包括：在半导体衬底内形成具有第一掺杂类型的阱区；在阱区上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅极层；在栅极层上形成掩膜层，所述掩膜层具有一个窗口，所述窗口用于定义位于阱区上层部分的体区；通过掩膜层的窗口，对栅极层进行刻蚀至栅极层被穿通，栅极层在被刻蚀后具有位于体区上方的侧壁；通过掩膜层的窗口，向阱区注入具有第二掺杂类型的杂质，形成体区；采用大角度倾斜的杂质注入工序，且栅极层和掩膜层作为此过程中的阻隔层，向体区注入具有第一掺杂类型的杂质，形成第一晶体管与第二晶体管各自的源极区；移除掩膜层；形成第一晶体管与第二晶体管各自的栅极；形成第一晶体管与第二晶体管各自的漏极接触区；以及形成第一晶体管与第二晶体管各自的体接触区。