[发明专利]半导体装置及其制备方法

摘要

本发明涉及一种NAND存储器及其制备方法，NAND存储器包括：硅基板；多个外围器件；形成在所述外围器件上方的多个NAND串；形成在所述多个NAND串上方的单晶硅层，所述单晶硅层与所述多个NAND串接触连接，和形成在所述多个外围器件和多个NAND串之间的一个或多个第一互联层。本发明通过将阵列器件和外围器件的制作分开，能够避免两个器件制造时互相影响对方的制作过程，因此解决了现有技术中后面的层的制作受前面的层制作后温度限制的问题，从而获得了良好的外围器件性能。另外由于阵列器件叠加在外围器件之上，实现了高器件密度。

主权项

1.一种NAND存储器，包括：硅基板；一个或多个外围器件；形成在所述外围器件上方的一个或多个NAND串；其中,每一个NAND串包括：多个导体/绝缘体叠层；形成在所述一个或多个NAND串上方的单晶硅层，所述单晶硅层作为硅基板并与所述一个或多个NAND串接触连接，和形成在所述一个或多个外围器件和一个或多个NAND串之间的一个或多个第一互联层；所述存储器进一步包括：形成在所述多个NAND串上方的第二互联层；贯穿阵列触点，竖直穿过所述多个导体/绝缘体叠层和所述单晶硅层，连接所述第一互联层和所述第二互联层。