[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710717380.4 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109559984B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 梁金娥;吕乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：衬底和在该衬底上的层间电介质层，其中该层间电介质层具有用于形成栅极的开口；在该半导体结构上沉积栅极金属层以填充该开口，其中该栅极金属层含有杂质；在该栅极金属层上形成杂质吸附层；对形成该杂质吸附层之后的半导体结构执行第一退火处理，以使得该栅极金属层中的杂质进入该杂质吸附层；以及在执行该第一退火处理之后，去除该杂质吸附层。本发明可以减少栅极金属层内的杂质，从而可以提高栅极的接触电阻，进而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底和在所述衬底上的层间电介质层，其中所述层间电介质层具有用于形成栅极的开口；在所述半导体结构上沉积栅极金属层以填充所述开口，其中所述栅极金属层含有杂质；在所述栅极金属层上形成杂质吸附层；对形成所述杂质吸附层之后的半导体结构执行第一退火处理，以使得所述栅极金属层中的杂质进入所述杂质吸附层；以及在执行所述第一退火处理之后，去除所述杂质吸附层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
