[发明专利]氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置及固定方法

摘要

本发明公开了一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置及固定方法，在氮化铝粉源与坩埚顶盖之间设置可拆卸的生长平台，使籽晶或衬底材料通过自身重力或机械方式加以固定，通过设置第一间隙和第二间隙，能够同时在籽晶或衬底的两面进行长晶，长晶效率较高，有效的解决了籽晶固定问题，避免了籽晶粘结带来的各种不利因素，为氮化铝同质外延生长提供有利条件；使籽晶或衬底从低温区往高温区靠近，氮化铝粉源分解产生的气相物质在高温区具有很好的迁移能力，有利于同质/异质外延生长进一步扩大晶体尺寸；籽晶表面可完全避免白色陶瓷层的形成，有利于发挥籽晶的单晶诱导作用，该方法得到的氮化铝单晶具有极高的单晶质量，且具有较高的晶体生长速率。

主权项

一种氮化铝单晶生长中籽晶或衬底的固定装置，设于长晶设备中，所述长晶设备用于通过物理气相传输法生长氮化铝单晶，所述长晶设备包括用于放置氮化铝粉源的坩埚、用于为所述坩埚加热的加热机构、用于为所述坩埚隔热的隔热机构、用于微调所述坩埚位置的调整机构、用于测量所述坩埚底部温度和顶部温度的测温机构，其特征在于：所述固定装置包括可拆卸的设于所述坩埚中部的生长平台、用于固定所述生长平台的固定组件，所述籽晶或所述衬底固定在所述生长平台上；所述生长平台具有第一形态和第二形态；当所述生长平台为所述第一形态时，所述生长平台和所述坩埚内壁之间设有用于作为氮化铝气相传输通道的第一间隙；当所述生长平台为所述第二形态时，所述生长平台中开设有用于作为氮化铝气相传输通道的第二间隙。