[发明专利]具有数控衰减的低通集成滤波器在审

专利信息
申请号: 201710717826.3 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107517042A 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 孙超;王鑫;戴永胜 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H03H1/00 分类号: H03H1/00;H03H7/01;H03H7/25
代理公司: 南京理工大学专利中心32203 代理人: 薛云燕
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有数控衰减的低通集成滤波器。该滤波器包括数控衰减器芯片和低通滤波器,其中数控衰减器芯片位于低通滤波器的上表面;所述数控衰减器芯片包含输入端口、输出端口以及九个数控端,其中输入端口与低通滤波器的第十输入端口连接,输出端口与低通滤波器的第一通孔相连,低通滤波器的后侧面依次间隔设有第一~九控制端口,分别连接数控衰减器芯片九个数控端,第十五输出端口为低通滤波器F的输出端口,第十一~十四接地端口为低通滤波器的接地端口;数控衰减芯片采用MMIC工艺,低通滤波器采用全集总结构,并用LTCC技术实现低通滤波器LC电路与数控衰减芯片的一体化集成。本发明体积小、可靠性高,可应用于卫星通信、雷达系统。
搜索关键词: 具有 数控 衰减 集成 滤波器
【主权项】:
一种具有数控衰减的低通集成滤波器,其特征在于:包括数控衰减器芯片(D1)和低通滤波器(F),其中数控衰减器芯片(D1)位于低通滤波器(F)的上表面;所述数控衰减器芯片(D1)包含输入端口、输出端口以及九个数控端,其中输入端口通过输入引线(RFin)与低通滤波器(F)的第十输入端口(P10)连接,输出端口通过输出引线(RFout)与低通滤波器(F)的第一通孔(H1)相连,低通滤波器(F)的后侧面依次间隔设有第一控制端口(P1)、第二控制端口(P2)、第三控制端口(P3)、第四控制端口(P4)、第五控制端口(P5)、第六控制端口(P6)、第七控制端口(P7)、第八控制端口(P8)和第九控制端口(P9),所述第一控制端口(P1)、第二控制端口(P2)、第三控制端口(P3)、第四控制端口(P4)、第五控制端口(P5)、第六控制端口(P6)、第七控制端口(P7)、第八控制端口(P8)和第九控制端口(P9)分别连接数控衰减器芯片(D1)九个数控端,第十五输出端口(P15)为低通滤波器(F)的输出端口,第十一接地端口(P11)、第十二接地端口(P12)、第十三接地端口(P13)、第十四接地端口(P14)为低通滤波器F的接地端口;所述低通滤波器(F)内部包含:第一通孔(H1)、第二通孔(H2)、第三通孔(H3)、第四通孔(H4)、第五通孔(H5)、第六通孔(H6)、第七通孔(H7)、第八通孔(H8)、第九通孔(H9)、第十通孔(H10)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第三电感(L3)、第四电感(L4)、第五电感(L5)、第六电感(L6)、第一接地屏蔽层(GND1)、第二接地屏蔽层(GND2);所述第一通孔(H1)一端与表面数控衰减芯片(D1)输出引线(RFout)连接,另一端与第二通孔(H2)连接,第一电容(C1)上极板与第二通孔(H2)上端相连,第一电容(C1)下极板与第三通孔(H3)上端相连,第一电感(L1)一端与第二通孔(H2)下端相连,另一端与通孔(H3)下端相连,第二电容(C2)上极板通过第四通孔(H4)与第三通孔(H3)下端相连,第二电容(C2)下极板为第二接地屏蔽层(GND2),第三电容(C3)下极板与第三通孔(H3)上端相连,第三电容(C3)上极板与第五通孔(H5)相连,第二电感(L2)一端与第三通孔(H3)下端相连,另一端与第六通孔(H6)下端相连,第六通孔(H6)上端与第五通孔(H5)下端相连,第四电容(C4)下极板与第五通孔(H5)上端相连,第四电容(C4)上极板为第一接地屏蔽层(GND1),第五电容(C5)下极板与第六通孔(H6)上端相连,上极板与第六电容(C6)上极板相连,第三电感(L3)一端与第六通孔(H6)下端相连,另一端与第四电感(L4)一端相连,第十电容(C10)上极板与第十五输出端口(P15)相连,第十电容(C10)下极板与第九通孔(H9)上端相连,第六电感(L6)一端与第十五输出端口(P15)相连,另一端与第九通孔(H9)下端相连,第九电容(C9)上极板通过第十通孔(H10)与第九通孔(H9)下端相连,第九电容(C9)下极板为第二接地屏蔽层(GND2),第八电容(C8)下极板与第九通孔(H9)上端相连,第八电容(C8)上极板与第七通孔(H7)相连,第五电感(L5)一端与第九通孔(H9)下端相连,另一端与第八通孔(H8)下端相连,第八通孔(H8)上端与第七通孔(H7)下端相连,第七电容(C7)下极板与第七通孔(H7)上端相连,第七电容(C7)上极板为第一接地屏蔽层(GND1),第六电容(C6)下极板与第八通孔(H8)上端相连,上极板与第五电容(C5)上极板相连,第四电感(L4)一端与第八通孔(H8)下端相连,另一端与第三电感(L3)一端相连,第一接地屏蔽层(GND1)、第二接地屏蔽层(GND2)与第十一接地端口(P11)、第十二接地端口(P12)、第十三接地端口(P13)、第十四接地端口(P14)相连。
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