[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710718131.7 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107611232B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 李明阳;刘冠洲;毕京锋;李森林;宋明辉;陈文浚 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管及其制作方法。该发光二极管依次包括第一发光二极管外延层、光转换层、键合层和第二发光二极管外延层。在一些实施例中，所述键合层为带通键合层，所述光转换层能被第一发光二极管外延层发出的光激发，通过带通键合层后，出射的光与第二发光二极管外延层发出的光光谱重合，从而在相同电流下，额外增加了一部分与第二发光二极管外延层发出的光光谱重合的光线，使发光二极管的亮度得到极大增强。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管，包括：第一发光外延结构，发射第一波长的光，其上表面定义有第一区域和第二区域；光转换层，形成于所述第一发光外延结构的第一区域；键合层，位于所述光转换层的表面之上；第二发光外延结构，发射第二波长的光，位于所述键合层的表面之上，并通过所述键合层与所述第一发光外延结构连接；导电结构，形成于所述形成于所述第一发光外延结构的第二区域，并电连接至所述第二发光外延结构；其中，所述第一发光外延结构发出的光激发所述光转换层发出第三波长的光，并穿透所述键合层向上射出。
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