[发明专利]一种硅片置中装置在审
| 申请号： | 201710718789.8 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107424949A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张学强;戴军;张建伟;贾宇鹏 | 申请（专利权）人： | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/68;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 韩飞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片置中装置，包括初次定位机构；二次定位机构；以及沿直线方向单向传送的传送机构，其设于二次定位机构当中，其中，初次定位机构设于传送机构的上游，二次定位机构包括左定位导轨及右定位导轨，左定位导轨与右定位导轨平行且间隔设置以形成位于两者之间的二次定位通道，传送机构设于所述二次定位通道之中。根据本发明，其在提高硅片水平度及置中度的精度同时，还能够提高定位置中的效率，从而进一步提高了硅片的处理工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 装置 | ||
【主权项】：
一种硅片置中装置，其特征在于，包括：初次定位机构(3)；二次定位机构(4)；以及沿直线方向单向传送的传送机构(2)，其设于二次定位机构(4)当中，其中，初次定位机构(3)设于传送机构(2)的上游，二次定位机构(4)包括左定位导轨(41)及右定位导轨(42)，左定位导轨(41)与右定位导轨(42)平行且间隔设置以形成位于两者之间的二次定位通道，传送机构(2)设于所述二次定位通道之中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
