[发明专利]一种四氧化三钴/二氧化锰/聚吡咯纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201710718859.X | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107481866A | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 俎喜红;李杰熹;曾艳娴;易国斌;黄嘉辉;熊伟光;张安可;李伟钊 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/48;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王洋,赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Co3O4/MnO2/PPy纳米线阵列，包括Co3O4/MnO2纳米线阵列核和包覆于所述Co3O4/MnO2纳米线阵列核表面的PPy壳层；所述Co3O4/MnO2纳米线阵列核包括生长在衬底上的Co3O4纳米线阵列核和包覆于所述Co3O4纳米线阵列核表面的MnO2壳层。本发明在衬底上生长垂直于衬底的Co3O4纳米线阵列，并进一步以Co3O4纳米线为核，通过电化学法在其表面制备MnO2、PPy多重复合壳层，从而得到高比表面积、高导电性和高离子传输性能的3D Co3O4/MnO2/PPy多重核壳结构纳米线阵列复合电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 二氧化锰 吡咯 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Co3O4/MnO2/PPy纳米线阵列，其特征在于，包括：Co3O4/MnO2纳米线阵列核和包覆于所述Co3O4/MnO2纳米线阵列核表面的PPy壳层；所述Co3O4/MnO2纳米线阵列核包括生长在衬底上的Co3O4纳米线阵列核和包覆于所述Co3O4纳米线阵列核表面的MnO2壳层。
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