[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710719615.3 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107689407B 公开(公告)日: 2019-09-06
发明(设计)人: 刘英策;刘兆;宋彬;李俊贤;吴奇隆 申请(专利权)人: 厦门乾照光电股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/24;H01L33/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 361100 福建省厦门市火炬*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种LED芯片及其制作方法,该LED芯片包括:衬底;设置在衬底上的外延结构;其中,外延结构分为多个LED原胞;外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽,侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射;相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽,通过原胞沟槽的底部露出衬底,所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流;设置在原胞沟槽内的绝缘层;覆盖绝缘层的连接电极,连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中,通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射,通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流,可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
搜索关键词: 一种 led 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种LED芯片,其特征在于,所述LED芯片包括:衬底;设置在所述衬底上的外延结构;其中,所述外延结构分为多个LED原胞;所述外延结构的四周侧壁具有预设形状的侧壁沟槽,所述侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射;相邻两个所述LED原胞之间具有预设形状的原胞沟槽,通过所述原胞沟槽的底部露出所述衬底,所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流;设置在所述原胞沟槽内的绝缘层;覆盖所述绝缘层的连接电极,所述连接电极用于电连接相邻的两个所述LED原胞;所述原胞沟槽中间部分的宽度在第一方向上逐渐增大;所述原胞沟槽两端部分的宽度在所述第一方向上逐渐减小;所述中间部分内形成所述绝缘层;其中,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延结构。
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