[发明专利]一种发光二极管及其制作方法

摘要

本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。

主权项

1.一种发光二极管制作方法，其特征在于，包括：提供临时衬底；在所述临时衬底上依次外延生长第一缓冲层、切割剥离层和基板层；在所述基板层背离所述切割剥离层的表面依次生长第二缓冲层和发光二极管外延结构层，所述发光二极管外延结构层包括第一型电流扩展层和欧姆接触层，所述第一型电流扩展层与所述第二缓冲层相接触，所述欧姆接触层为所述发光二极管外延结构层背离所述第二缓冲层的最外层；形成切割道和第一电极制作凹槽，所述切割道至少贯穿所述发光二极管外延结构层、所述第二缓冲层和所述基板层，所述第一电极制作凹槽贯穿所述欧姆接触层并延伸至所述第一型电流扩展层；在所述切割道和所述第一电极制作凹槽以及所述发光二极管外延结构层的侧壁形成保护层；制作第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述第一电极制作凹槽内且与所述第一型电流扩展层电性接触，所述第二电极与所述欧姆接触层电性接触；在所述第一电极和所述第二电极上粘贴第一抗腐蚀蓝膜；依次去除所述临时衬底、所述第一缓冲层和所述切割剥离层；将所述基板层粘贴至第二抗腐蚀蓝膜，去除所述第一抗腐蚀蓝膜。