[发明专利]一种晶圆扭曲度的表征方法有效
| 申请号： | 201710719861.9 | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107527831B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李兵 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆扭曲度的表征方法，应用于晶圆机台上的一键合晶圆包括：步骤S1，得到每个标记的实际坐标；步骤S2，根据标记的实际坐标进行线性补偿，形成在第一方向和第二方向上延伸的补偿线；步骤S3，根据标记的实际坐标进行线性模拟，形成在第一方向和第二方向上延伸的模拟线；步骤S4，将在第一方向上延伸的补偿线和模拟线之间进行差值比较并统计，形成表征键合晶圆在第一方向上的扭曲度的第一参数，以及将在第二方向上延伸的补偿线和模拟线之间进行差值比较并统计，形成表征键合晶圆在第二方向上的扭曲度的第二参数；能够在不影响晶圆机台运行的情况下对键合晶圆的扭曲度进行表征，生产效率高，人力成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扭曲 表征 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆扭曲度的表征方法，应用于晶圆机台上的一键合晶圆，所述键合晶圆上布设有按阵列分布的标记，其特征在于，所述表征方法包括：/n步骤S1，对每个所述标记的位置进行测量，得到每个所述标记的实际坐标；/n步骤S2，根据所述标记的所述实际坐标进行线性补偿，形成在第一方向和第二方向上延伸的补偿线；/n步骤S3，根据所述标记的所述实际坐标进行线性模拟，形成在第一方向和第二方向上延伸的模拟线；/n步骤S4，将在所述第一方向上延伸的所述补偿线和所述模拟线之间进行差值比较并统计，形成表征所述键合晶圆在所述第一方向上的扭曲度的第一参数，以及将在所述第二方向上延伸的所述补偿线和所述模拟线之间进行差值比较并统计，形成表征所述键合晶圆在所述第二方向上的扭曲度的第二参数。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
