[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710722343.2 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109427880B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、位于衬底上的有源区和位于有源区上的栅极结构，在栅极结构两侧分别形成凹陷，在凹陷中外延生长电极，其中电极包括电极主体和位于电极主体上的非晶材料层，在衬底结构上形成层间电介质层，以便覆盖所生长的电极和栅极结构，刻蚀层间电介质层以形成露出非晶材料层的接触孔，在接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层，在导电粘合层上形成填充所述接触孔的接触件。本发明通过使源漏区电极具有非晶材料层，使得粘合层直接设置在非晶材料层上，由此可改善salicide工艺的效果，确保器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；位于所述衬底上的有源区；位于所述有源区上的栅极结构；在所述栅极结构两侧分别形成凹陷；在所述凹陷中外延生长电极，其中所述电极包括电极主体和位于电极主体上的非晶材料层；在所述衬底结构上形成层间电介质层，以便覆盖所述电极和栅极结构；刻蚀所述层间电介质层以形成露出所述非晶材料层的接触孔；在所述接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层；以及在所述导电粘合层上形成填充所述接触孔的接触件。
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