[发明专利]一种新型氧化铝原子层沉积装置及其沉积方法

摘要

本发明公开了一种新型氧化铝原子层沉积装置及其沉积方法，在ALD反应中通过多次将腔室和管路抽真空，可有效清除前驱体和氧化剂在管路和腔室壁的残留，降低非预期反应的发生以及降低杂质污染，因而可提高薄膜的纯度，而且避免了复杂的气体处理系统；还通过设置腔室阀门吹扫管路，在腔室阀门打开或关闭时，通过对腔室阀门及其周边区域进行吹扫，可减少由于腔室阀门开关过程中产生的颗粒聚集，从而减少腔室污染，降低薄膜所含杂质。

主权项

1.一种新型氧化铝原子层沉积装置，其特征在于，包括：反应腔室，其设有与反应腔室连接的腔室阀门，还设有与反应腔室连接的真空泵；腔室压强维持管路，其一端连接反应腔室，另一端连接载气及吹扫气体管路；铝的前驱体传输管路，其一端通过腔室压强维持管路连接反应腔室，另一端连接载气及吹扫气体管路，所述载气及吹扫气体管路与铝的前驱体传输管路之间还并联设有用于装载铝的前驱体的源瓶；氧化剂传输管路，其一端通过腔室压强维持管路连接反应腔室，另一端连接载气及吹扫气体管路，所述载气及吹扫气体管路与氧化剂传输管路之间还并联设有用于装载氧化剂的源瓶；腔室阀门吹扫管路，其一端连接腔室阀门，另一端连接载气及吹扫气体管路；载气及吹扫气体管路，连接载气及吹扫气体源，并分别通向腔室压强维持管路、铝的前驱体传输管路、氧化剂传输管路及腔室阀门吹扫管路。