[发明专利]静电保护电路在审
| 申请号： | 201710724549.9 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109427763A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈鸿毅;蔡青霖;陈俞均;郑嘉士;周北翔;陈明扬 | 申请（专利权）人： | 奇景光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种静电保护电路，其包含有：一P型二极管、一N型二极管以及一箝位电路。该P型二极管包含有：一P型半导体基底；一N井；一第一N+扩散区域，设置于该N井中；一P+扩散区域，设置于该第一N+扩散区域的周围；以及一第二N+扩散区域，设置于该P+扩散区域的周围。该N型二极管包含有：一P型半导体基底；一第一P+扩散区域，设置于该N型二极管的该P型半导体基底中；一N+扩散区域，设置于该第一P+扩散区域的周围；以及一第二P+扩散区域，设置于该N+扩散区域的周围。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散区域 基底 静电保护电路 二极管 箝位电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电保护电路，包含有：一P型二极管，耦接于一电源端与一输出入端，包含有：一P型半导体基底；一N井，设置于该P型半导体基底中；一第一N+扩散区域，设置于该N井中，耦接于该电源端；一P+扩散区域，设置于该第一N+扩散区域的周围，耦接于该输出入端；以及一第二N+扩散区域，设置于该P+扩散区域的周围，耦接于该电源端；一N型二极管，耦接于一接地端与该输出入端，包含有：一P型半导体基底；一第一P+扩散区域，设置于该N型二极管的该P型半导体基底中，耦接于该接地端；一N+扩散区域，设置于该第一P+扩散区域的周围，耦接于该输出入端；以及一第二P+扩散区域，设置于该N+扩散区域的周围，耦接于该接地端；以及一箝位电路，并联于该P型二极管与该N型二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
