[发明专利]一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、DBR1、中电池、第二隧穿结、DBR2、顶电池和N型接触层。本发明还公开了上述抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池的制作方法。本发明中电池采用InxGa1‑xAs材料，禁带宽度1.1～1.4eV，顶电池采用GayIn1‑yP材料，禁带宽度为1.6～1.9eV，采用DBR1和DBR2的形式释放应力和过滤位错，有效解决外延片的翘曲状况和改善外延生长的厚度及掺杂的均匀性，提高太阳电池的成品率及性能；另一方面，由于采用DBR1和DBR2的过渡形式，可以提高电池对太阳光的吸收，提高抗辐照性能。

主权项

一种具有抗辐照结构的高效三结级联砷化镓太阳电池，其特征在于，包括P型接触层、底电池、第一隧穿结、具有应变结构的DBR1、中电池、第二隧穿结、具有应变结构的DBR2、顶电池和N型接触层；所述底电池、中电池和顶电池为三结子电池，由下至上依次排列；所述底电池与中电池之间通过第一隧穿结连接；所述第一隧穿结与所述中电池之间还设有DBR1；所述中电池与所述顶电池之间通过第二隧穿结连接；所述第二隧穿结与所述顶电池之间还设有DBR2；所述底电池下层还设有P型接触层，所述P型接触层为P型Ge衬底；所述顶电池的上层还设有N型接触层，所述N型接触层为GaAs材料的GaAs窗口层。