[发明专利]3D NAND闪存的接触窗形成方法和接触窗结构

摘要

本发明涉及一种接触窗形成方法和接触窗结构，接触窗形成方法包括：提供衬底，在衬底表面沉积介质层；第一次刻蚀，形成第一接触孔洞；生长，在第一接触孔洞的底壁和侧壁生长非晶硅内墙；第二次刻蚀，形成第二接触孔洞，同时保证第二次刻蚀的方法对非晶硅和介质层的材料具有高度的选择比；激活，在非晶硅内墙进行高剂量离子注入，并退火；降阻，在激活后的非晶硅内墙的表面沉积IV副族金属，生成金属硅化物结构层；钨插塞‑化学机械抛光，形成第一接触窗和第二接触窗。本发明通过在外围电路接触窗的孔壁生长硅侧墙，保护了外围电路接触窗的孔壁的完整性，保证3D NAND闪存接触窗的可靠性以及IC电路的金属互联。

主权项

1.3D NAND闪存的接触窗形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，在衬底表面沉积介质层；第一次刻蚀，形成贯穿介质层、并伸入衬底上部一定距离的第一接触孔洞；生长，向第一接触孔洞内沉积非晶硅，使得第一接触孔洞内的底壁和侧壁生成非晶硅内墙，保证在沉积非晶硅过程中，介质层表面不产生或仅产生厚度为4nm以下的多余非晶硅；第二次刻蚀，保证第二次刻蚀的方法对非晶硅和介质层的材料具有高度的选择比，从而能够穿透介质层表面的微量非晶硅，并在介质层内部形成第二接触孔洞，同时不穿透非晶硅内墙；激活，在非晶硅内墙进行高剂量离子注入，并退火；降阻，在激活后的非晶硅内墙的表面沉积第IV副族金属，生成第IV副族金属硅化物结构层；以及钨插塞‑化学机械抛光，在第一接触孔洞和第二接触孔洞内沉积钨，并进行化学机械抛光，去除介质层表面沉积的微量非晶硅和钨，形成第一接触窗和第二接触窗。