[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201710726114.8 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107452717B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨要华;刘藩东;何佳;夏志良;霍宗亮;冯耀斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造方法，用于进行套刻对准(OVL)操作，其中将OVL标记设置于3D NAND单元阵列区域和划片带中，即设置单元阵列区域OVL和划片带OVL，直接测量OVL标记的偏差，并通过两次分别的数据拟合，并赋予不同的权重，能够更准确地反映单元阵列区域的套刻对准情况，克服了现存的仅仅依靠划片带中OVL标记难以反映准确套刻位置的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造方法，用于进行套刻对准(OVL)操作，其特征在于所述方法包括：步骤1：设置单元阵列区域套刻对准(OVL)标记和划片带套刻对准(OVL)标记，所述单元阵列区域套刻对准(OVL)标记紧贴单元阵列区域且位于单元阵列区域的角部，所述划片带套刻对准(OVL)标记位于每个芯片周围的划片带中且位于所述划片带的角部；步骤2：进行套刻对准操作时，通过测量设备测量套刻对准(OVL)偏差；步骤3：基于所述单元阵列区域套刻对准(OVL)标记和所述划片带套刻对准(OVL)标记的位置数据以及测量得到的所述套刻对准(OVL)偏差的数据，拟合获得套刻对准(OVL)模型；步骤4：将所述划片带套刻对准(OVL)标记和所述单元阵列区域套刻对准(OVL)数据，反馈至扫描设备；其特征在于，对所述划片带套刻对准(OVL)标记的位置数据和相应的套刻对准(OVL)偏差数据进行处理，获得第一组拟合数据；对所述单元阵列区域套刻对准(OVL)标记的位置数据和相应的套刻对准(OVL)偏差数据进行处理，获得第二组拟合数据；通过所述第一组拟合数据和所述第二组拟合数据，获得最终的套刻对准(OVL)模型。
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