[发明专利]防止SEG损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存

摘要

本发明提供了防止SEG损坏的3D NAND制备方法及获得的3D NAND闪存，所述方法包括，在所述周边区域器件的制备过程中，采用酸性标准清洗(SC2)来代替对衬底背面进行强清洗所采用的HF和/或HNO₃；从而不去除衬底背面的SiO₂薄膜和多晶硅层；保留了衬底背面的氧化物，从而使得后续沟道孔制备工艺中的刻蚀(干法)工艺不产生电荷；进而避免后续磷酸蚀刻过程中电化学反应的发生从而防止磷酸刻蚀过程中发生电化学反应而对SEG造成损坏。进而可以防止3D结构的崩塌，并且降低BSG失效率；获得更高的产品收得率。

主权项

1.防止SEG损坏的3D NAND制备方法，其特征在于，所述方法包括如下制备步骤：提供一个Si衬底；在衬底上进行周边区域器件的制备；在所述周边区域器件的制备过程中，保留在衬底背面的SiO2薄膜和沉积周边区域栅极多晶硅时在衬底背面形成多晶硅膜；核心区域台阶堆叠结构的制备；所述核心区域台阶堆叠结构包括多层交错堆叠的层间介质层及牺牲介质层形成衬底堆叠结构，所述牺牲介质层形成于相邻的层间介质层之间；核心区域沟道孔的制备；所述沟道孔包括硅外延生长层，以及在该硅外延生长层上的堆叠结构；核心区域栅极线槽的制备；利用栅极线槽通过磷酸(H3PO4)刻蚀去除堆叠结构中的牺牲介质层。