[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有鳍部材料层；在鳍部材料层上形成隔离材料层，隔离材料层材料的禁带宽度大于鳍部材料层的禁带宽度；在隔离材料层上形成沟道材料叠层，沟道材料叠层包括位牺牲材料层和位于牺牲材料层上的沟道材料层；刻蚀沟道材料叠层和隔离材料层以及鳍部材料层，形成凸起于衬底表面的鳍部、位于鳍部上的隔离层以及位于隔离层上沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层。通过在沟道叠层和鳍部之间形成隔离层，使后续所形成的全包围栅极结构位于隔离层上，从而降低全包围栅极结构下寄生沟道的形成，能够有效抑制所形成半导体结构的漏电流，有利于半导体结构性能的改善。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部材料层；在所述鳍部材料层上形成隔离材料层，所述隔离材料层材料的禁带宽度大于所述鳍部材料层的禁带宽度；在所述隔离材料层上形成沟道材料叠层，所述沟道材料叠层包括位牺牲材料层和位于所述牺牲材料层上的沟道材料层；刻蚀所述沟道材料叠层、所述隔离材料层以及所述鳍部材料层，形成凸起于所述衬底表面的鳍部、位于所述鳍部上的隔离层以及位于所述隔离层上沟道叠层，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层。