[发明专利]低温Si与有机叠层的太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 201710727440.0 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107623071B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 张春福;常晶晶;陈大正;林珍华;张倩妮;郝跃;张进成 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种低温Si与有机的叠层太阳能电池,主要解决现有太阳能电池能量转换效率低的问题。其包括阴极(1)、n型硅片基体(2)、p型有机导电薄膜(3)、p型缓冲层(4)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、有机活性层(7)、空穴传输层(8)以及阳极(9)。其中阴极、n型硅片基体和p型有机导电薄膜自下而上构成Si杂化太阳能电池;电子传输层、界面修饰层、有机活性层、空穴传输层以及阳极自下而上构成有机太阳能电池,这两种结构的太阳能电池通过p型缓冲层叠加构成叠层结构,使电荷能够有效的向电极传输。本发明提高了能量转换效率并且整个制备工艺低于200℃,减少了能源消耗,可用于便携式能源及可穿戴电子设备。 | ||
搜索关键词: | 低温 si 有机 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低温Si与有机叠层的太阳能电池,其自下而上依次为阴极(1),n型硅片基体(2),p型有机导电薄膜(3),电子传输层(5),有机活性层(7),空穴传输层(8)和阳极(9),其特征在于:在p型有机导电薄膜(3)与电子传输层(5)之间增设有p型缓冲层(4),用于改善空穴到阳极的传输;在电子传输层(5)与有机活性层(7)之间增设有界面修饰层(6),用于优化电子传输层性能;阳极(9)采用透明导电材料或网状金属结构,以使太阳光能照射到器件内部的光吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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