[发明专利]一种中长波红外波段II类超晶格

摘要

本发明一种中长波红外波段II类超晶格，包括多个超晶格原胞重复堆叠而成，超晶格原胞包括GaSb层、第一InSb层、第一InAs层、In_xGa_1‑xAs层、第二InAs层、第二InSb层，In_xGa_1‑xAs层位于第一InAs层与第二InAs层之间、或位于并紧贴第一InAs层的上方、或位于并紧贴第二InAs层下方。本发明的超晶格结构引入了较厚的InSb层以有效地拓展截止波长、提高量子效率，并增加了In_xGa_1‑xAs插入层来平衡应力、减小器件暗电流，适用于制备中红外、远红外波段的光电器件。

主权项

1.一种中长波红外波段II类超晶格，其特征在于：包括多个超晶格原胞重复堆叠而成，所述超晶格原胞包括自下而上依次设置的GaSb层、第一InSb层、第一InAs层、第二InAs层和第二InSb层，所述超晶格原胞还包括InxGa1‑xAs层，所述InxGa1‑xAs层位于所述第一InAs层与所述第二InAs层之间、或位于并紧贴所述第一InAs层的上方、或所述第二InAs层下方。