[发明专利]3D NAND闪存结构中晶圆的叠合连接工艺

摘要

本发明提供了一种3D NAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，包括以下步骤：提供两个晶圆结构；进行预处理，具体为对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行预处理以粗糙化所述叠合连接面；将所述两个晶圆结构的叠合连接面叠合并将所述两个晶圆结构连接为一体结构。通过对叠合连接面进行等离子体处理，获得相对粗糙的叠合连接表面，以增加叠合连接后的界面键合力；采用离子注入对叠合连接面进行离子掺杂，减小叠合连接表面之间导电介质的接触电阻；通过对叠合连接后的一体结构进行退火处理，加速界面处的原子扩散，从而增加叠合连接后的界面键合力；通过本发明上述工艺，能够增强多个叠合晶圆连接界面的键合力，进而提高3D NAND闪存结构的产品性能。

主权项

1.一种3D NAND闪存结构中晶圆连接的叠合连接工艺，其特征在于：包括以下步骤：提供两个晶圆结构；进行预处理，具体为对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行预处理以粗糙化所述叠合连接面；将所述两个晶圆结构的叠合连接面叠合并将所述两个晶圆结构连接为一体结构；所述预处理步骤，包括对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行等离子体处理；还包括采用离子注入对所述两个晶圆结构的叠合连接面进行离子掺杂，根据实际接触电阻的需要调整离子注入的角度在1‑60°之间、能量在10KeV‑50MeV之间、掺杂计量在1×1013‑1×1020原子/cm2之间。