[发明专利]一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710728543.9 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107591486B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 韩宏伟;胡玥;张智慧 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法，制备方法包括：将(A1)x(A2)1‑xB(X1)y(X2)3‑y溶解在有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，其中，0≤x≤1，0≤y≤3，A1为一价有机阳离子或一价无机阳离子，A2为一价有机阳离子或一价无机阳离子，B为二价金属阳离子，X1为一价阴离子，X2为一价阴离子；向钙钛矿前驱体溶液中加入体积百分比为10％～50％的助溶剂，经过退火得到有机无机杂化钙钛矿半导体材料。本发明通过在钙钛矿前驱液中添加助溶剂，大幅度地提升了钙钛矿材料在溶剂中的溶解度，在制备钙钛矿材料的过程中，有效减少了溶剂的使用量，同时本发明公开的方法所制备的钙钛矿材料还具有缺陷态密度小，荧光寿命长的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 杂化钙钛矿 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机无机杂化钙钛矿半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：(1)将(A1)x(A2)1‑xB(X1)y(X2)3‑y溶解在有机溶剂中，得到钙钛矿前驱体溶液，其中，0≤x≤1，0≤y≤3，A1为一价有机阳离子或一价无机阳离子，A2为一价有机阳离子或一价无机阳离子，B为二价金属阳离子，X1为一价阴离子，X2为一价阴离子；(2)向钙钛矿前驱体溶液中加入体积百分比为10％～50％的助溶剂，经过退火得到有机无机杂化钙钛矿半导体材料；所述助溶剂为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、乙腈、乙酸、二甲基乙醇胺、丙烯碳酸酯、甲酰胺、四氢呋喃、丙酮、甲乙酮、乙酸乙酯中的至少一种。
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