[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及制造方法在审
| 申请号： | 201710728944.4 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427881A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 李东升;肖胜安;曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET，包括：栅极结构包括屏蔽电极和沟槽栅电极；源接触孔的底部具有穿过源区的外延层过刻蚀区并和沟道区相接触；在源接触孔的底部形成有两次以上的P型离子注入形成的P型接触区，两次以上的P型离子注入使P型接触区的区域增加，从而增加器件反偏时使空穴通过P型接触区直接导通到源接触孔的导通量并抑制器件反偏时空穴通过沟道区、源区导通到源接触孔，从而抑制寄生三极管的导通，提高器件的EAS能力。本发明还公开了一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET的制造方法。本发明能提高器件的EAS能力且不需要增加额外的成本和面积。 | ||
| 搜索关键词： | 源接触孔 导通 沟槽栅 屏蔽栅 沟道区 反偏 源区 空穴 沟槽栅电极 寄生三极管 屏蔽电极 区域增加 抑制器件 栅极结构 过刻蚀 外延层 制造 穿过 时空 | ||
【主权项】：
1.一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET，其特征在于，包括：栅极结构，所述栅极结构包括形成于沟槽中的由电极材料层组成的屏蔽电极和由电极材料层组成的沟槽栅电极；所述沟槽形成于N型外延层中，沟道区由形成于所述N型外延层中的P型阱组成，所述沟槽栅电极在纵向上穿过所述沟道区且被所述沟槽栅电极侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成沟道；所述沟道区底部的所述N型外延层组成漂移区；源区由形成于所述沟道区表面的N型重掺杂区组成，且所述沟槽栅电极侧面覆盖所述源区；在所述源区的顶部形成有源接触孔，所述源接触孔的顶部连接由正面金属层组成的源极；所述源接触孔的底部具有穿过所述源区的外延层过刻蚀区并和所述沟道区相接触；在所述源接触孔的底部形成有P型接触区，所述P型接触区为在所述源接触孔的开口形成后通过两次以上的P型离子注入形成，两次以上的P型离子注入使所述P型接触区的区域增加，从而增加器件反偏时使空穴通过所述P型接触区直接导通到所述源接触孔的导通量并抑制器件反偏时空穴通过所述沟道区、所述源区导通到所述源接触孔，从而抑制寄生三极管的导通，提高器件的EAS能力。
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