[发明专利]一种磁路拓扑集成磁体在审
申请号: | 201710729518.2 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107731481A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 陈威伦;李汉圣 | 申请(专利权)人: | 广路智能科技有限公司 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F27/08 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司11340 | 代理人: | 万秀娟 |
地址: | 325603 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种磁路拓扑集成磁体,其特征是包括两个镜像对接的集成磁体,所述集成磁体上设有磁平面,所述磁平面上部和下部设有相对的中心磁柱体,所述磁平面左右两侧设有侧边磁柱体。在本发明中,原有的两个相关但是分离的激磁线圈可安装在同一个集成磁体上,原有的两个各自的磁通路径也被安排在同一个集成磁体上,同时由于两个激磁磁通在所安排的公共磁路上分时交替出现的特性,使得该公共磁通的通量设计可以小于原有分体时的通量总和,从而减少了集成磁体的总体体积和成本,实现材料利用率和功率密度的最大化。 | ||
搜索关键词: | 一种 磁路 拓扑 集成 磁体 | ||
【主权项】:
一种磁路拓扑集成磁体,其特征是:包括两个镜像对接的集成磁体,所述集成磁体上设有磁平面,所述磁平面上部和下部设有相对的中心磁柱体,所述磁平面左右两侧设有侧边磁柱体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广路智能科技有限公司,未经广路智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710729518.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:降低导通压降的MOSFET结构及其制备方法
- 下一篇:一种逆阻型IGBT