[发明专利]制造三维存储器的后栅工艺

摘要

本发明涉及制造三维存储器的后栅工艺，该工艺在金属栅形成之后，在沟槽侧壁、隔离层和金属层的表面沉积氮化钛薄膜，再用非等向等离子刻蚀方法将沟槽侧壁的氮化钛金属薄膜去除，余下附着在隔离层和金属栅的表面的部分氮化钛薄膜作为金属栅的阻挡层，阻止金属栅本工艺的后续步骤中被氧化成穿透力极强的须状金属，进而避免金属栅和金属钨墙之间的漏电现象。

主权项

制造三维存储器的后栅工艺，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底的上表面交替堆叠两种沉积物，形成自下而上交替设有绝缘层和牺牲层的交替层，所述交替层包括若干绝缘层和若干牺牲层，且绝缘层始终为其最上层；对交替层进行深孔刻蚀，形成成排设置的沟道孔，所述沟道孔贯穿所述交替层；填充沟道孔，形成沟道孔结构；在交替层内相邻的两排沟道孔结构之间刻蚀，形成沟槽；移除牺牲层，以在相邻两层绝缘层之间形成金属栅沉积空间；在所述金属栅沉积空间形成一层或多层隔离层；在所述隔离层的表面，沉积金属钨以填充所述金属栅沉积空间，形成金属层；回刻金属层，去除靠近沟槽的部分金属层，以暴露所述隔离层的部分表面，剩余的部分金属层为金属栅；沉积氮化钛，形成氮化钛薄膜，使氮化钛薄膜覆盖沟槽侧壁、隔离层和金属栅的表面；对氮化钛薄膜刻蚀，以去除覆盖在所述沟槽侧壁的氮化钛薄膜；沉积二氧化硅，以形成覆盖所述沟槽侧壁、氮化钛薄膜表面的二氧化硅侧墙；沉积钨形成钨墙，以填满所述沟槽。