[发明专利]一种新型氧化硅层辅助耗尽超结结构的制造方法在审
| 申请号： | 201710730490.4 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427883A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郑方伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市敦为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人： | 陶远恒 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种新型氧化硅层辅助耗尽超结结构的制造方法，包括在N型外延区域表面进行干法刻蚀形成沟槽；在沟槽及N型外延表面制备氧化硅层；在沟槽内填充多晶硅至溢出沟槽状态；去除N型外延表面多晶硅；进行光刻工艺形成刻蚀窗口；形成倾斜的沟槽侧壁；去除光刻胶，并再次在沟槽内填充多晶硅至溢出沟槽状态；去除N型外延表面多晶硅；形成氧化硅层并制备多晶硅；去除氧化硅和多晶硅；进行P型离子注入和N型离子注入，形成源区和体区；制备介质层，在介质层上刻蚀介质孔，并制备金属。这种结构省去了超结器件中PN柱严格的掺杂浓度匹配要求，不需要进行多次外延或注入在工艺上更具有操作性，降低了器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅 氧化硅层 去除 制备 超结结构 介质层 耗尽 填充 溢出 表面制备 超结器件 干法刻蚀 沟槽侧壁 光刻工艺 刻蚀窗口 刻蚀介质 区域表面 制造成本 光刻胶 氧化硅 体区 源区 匹配 制造 掺杂 金属 | ||
【主权项】：
1.一种新型氧化硅层辅助耗尽超结结构的制造方法，其特征在于，包括：S1、 选取包括有N型外延区域和衬底的基材，在N型外延区域表面进行干法刻蚀形成沟槽；S2、进行热氧化工艺，在沟槽及N型外延表面制备氧化硅层；S3、在沟槽内填充多晶硅至溢出沟槽状态；S4、进行干法刻蚀，去除N型外延表面多晶硅；S5、进行光刻工艺形成刻蚀窗口；S6、进行湿法刻蚀，形成倾斜的沟槽侧壁；S7、去除光刻胶，并再次在沟槽内填充多晶硅至溢出沟槽状态；S8、再次进行干法刻蚀，去除N型外延表面多晶硅；S9、进行热氧化工艺形成氧化硅层，并制备多晶硅；S10、采用光刻胶作为掩膜，并干法刻蚀去除氧化硅和多晶硅；S11、采用光刻胶作为掩膜，进行P型离子注入和N型离子注入，形成源区和体区；S12、制备介质层，在介质层上刻蚀介质孔，并制备金属。
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