[发明专利]一种双重埋层沟槽功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710730491.9 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109427884A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 郑方伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市敦为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人： | 陶远恒 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种双重埋层沟槽功率器件的制造方法，制造有源区域，在P型外延层表面生长氧化硅层；采用光刻定义出第一沟槽形成区域；采用刻蚀工艺形成第一沟槽；在第一沟槽底部形成第一P型埋层；对第一沟槽底部进行刻蚀形成第二沟槽；在第二沟槽底部形成第二P型埋层；进行热氧化处理形成厚氧化硅层；填充多晶硅至溢出状态；去除P型外延层表面的氧化硅及多晶硅；沿第一沟槽边缘设置N型注入区域；在第一沟槽上方设置介质材料；填充金属。通过深槽刻蚀配合杂质注入的方法在N型漂移区内引入双重P型埋层，能够提高器件耗尽层耐压，减小器件导通电阻。厚氧化硅层能够提高沟槽底部弯角处的耐压能力，改善器件击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽功率器件 厚氧化硅层 多晶硅 刻蚀 埋层 制造 漂移 器件击穿特性 热氧化处理 表面生长 导通电阻 沟槽边缘 沟槽形成 介质材料 刻蚀工艺 耐压能力 填充金属 氧化硅层 杂质注入 注入区域 耗尽层 弯角处 氧化硅 源区域 光刻 减小 耐压 深槽 去除 填充 溢出 引入 配合 | ||
【主权项】：
1.一种双重埋层沟槽功率器件的制造方法，其特征在于，制造双重埋层沟槽功率器件的有源区域，包括：S1、选取自上至下逐层设置有P型外延层、N型外延层和硅片层的基材，在P型外延层表面生长氧化硅层；S2、使用光刻胶作为抗蚀剂掩膜，采用光刻定义出第一沟槽形成区域；S3、采用刻蚀工艺去除光刻胶形成第一沟槽；S4、在第一沟槽底部注入P型离子，并使P型离子在第一沟槽底部形成第一P型埋层；S5、再次对第一沟槽底部进行刻蚀形成第二沟槽；S6、再次向第二沟槽底部注入P型离子，使P型离子在第二沟槽底部形成第二P型埋层；S7、对第二沟槽进行热氧化处理，使得第二沟槽内部形成厚氧化硅层；S8、向第一沟槽内填充多晶硅至溢出状态；S9、通过刻蚀去除P型外延层表面的氧化硅及多晶硅；S10、沿第一沟槽边缘设置N型注入区域，使N型注入区域嵌设于P型外延层内部；S11、在第一沟槽上方设置介质材料，并通过刻蚀使介质材料形成介质孔；S12、在P型外延层表面及介质材料表面填充金属，使金属包袱P型外延层及介质材料。
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