[发明专利]一种改善浮栅极并联电容稳定性的方法有效
| 申请号： | 201710730505.7 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107507830B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 田志;钟林建;殷冠华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种改善浮栅极并联电容稳定性的方法，包括下列步骤：在半导体衬底表面上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成浮栅层；在所述浮栅层上形成绝缘ONO介质层；在所述绝缘ONO介质层上形成控制栅层，其中浮栅层与隧穿氧化层、以及浮栅层与绝缘ONO介质层并联形成电容区，所述电容区不进行存储区浅槽隔离区回刻工艺处理，从而使电容不受浮栅极高度和回刻深度的非均匀性造成的影响。由于消除了浮栅极和浅槽隔离区回刻工艺的影响，从而可以使利用浮栅极的并联电容结构获得更好的抗工艺波动性能力，改善电容的稳定性，从而使电路工作更加精准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 栅极 并联 电容 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种改善浮栅极并联电容稳定性的方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底表面上形成隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层上形成浮栅层；在所述浮栅层上形成绝缘ONO介质层；在所述绝缘ONO介质层上形成控制栅层，其中浮栅层与隧穿氧化层、以及浮栅层与绝缘ONO介质层并联形成电容区，所述电容区不进行存储区浅槽隔离区回刻工艺处理，从而使电容不受浮栅极高度和回刻深度的非均匀性造成的影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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