[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，缓冲层、未掺杂氮化镓层和N型氮化镓层依次层叠在衬底上，P型氮化镓层层叠在电子阻挡层上，N型氮化镓层的第一表面具有多个凸块，各个凸块垂直于N型氮化镓层的层叠方向的截面面积沿N型氮化镓层的层叠方向逐渐减小，各个凸块的高度小于N型氮化镓层的厚度，多量子阱层层叠在多个凸块之间的N型氮化镓层上，多量子阱层的厚度等于各个凸块的高度，电子阻挡层层叠在多量子阱层和多个凸块上。本发明可改善量子阱的生长质量。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，所述缓冲层、所述未掺杂氮化镓层和所述N型氮化镓层依次层叠在所述衬底上，所述P型氮化镓层层叠在所述电子阻挡层上，所述多量子阱层包括多个量子阱和多个量子垒，所述多个量子阱和所述多个量子垒交替层叠设置，其特征在于，所述N型氮化镓层的第一表面具有多个凸块，所述第一表面为所述N型氮化镓层与所述未掺杂氮化镓层接触的表面的相反表面，各个所述凸块垂直于所述N型氮化镓层的层叠方向的截面面积沿所述N型氮化镓层的层叠方向逐渐减小，各个所述凸块的高度小于所述N型氮化镓层的厚度，所述多量子阱层层叠在所述多个凸块之间的N型氮化镓层上，所述多量子阱层的厚度等于各个所述凸块的高度，所述电子阻挡层层叠在所述多量子阱层和所述多个凸块上。