[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710731384.8 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107785431A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 立山克郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟,闫剑平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，在干法蚀刻装置内中，以硅氧化膜的硬掩膜作为蚀刻掩膜来进行干法蚀刻处理，由此在露出的半导体衬底上形成沟槽。此时，用四氟甲烷(CF4)、溴化氢气体(HBr)以及氯气(Cl2)的混合气体作为蚀刻气体。将溴化氢气体以及氯气的总流量设为流量TF。将四氟甲烷的流量除以四氟甲烷的1分子中结合的氟原子的数量得到的流量设为流量NF。以流量NF除以流量TF得到的值作为流量比。干法蚀刻处理在流量比大于0且小于0.04的条件下进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的表面形成掩膜材料的工序；将形成有所述掩膜材料的所述半导体衬底搬入干法蚀刻装置内的工序；以及在所述干法蚀刻装置内，将所述掩膜材料作为蚀刻掩膜来进行第一蚀刻处理，由此在露出的所述半导体衬底上形成沟槽的工序，在形成所述沟槽的工序中，作为第一蚀刻气体使用含有氟原子的氟系气体、溴化氢气体(HBr)以及氯气(Cl2)的混合气体，若将所述溴化氢气体(HBr)以及所述氯气(Cl2)的总流量设为流量TF，将所述氟系气体的流量除以一分子所述氟系气体中结合的所述氟原子的数量而得到的流量设为流量NF，将所述流量NF除以所述流量TF得到的值作为流量比，则所述第一蚀刻处理包括在所述流量比大于0且小于0.04的条件下进行的主蚀刻处理。
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