[发明专利]通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法在审
| 申请号： | 201710731691.6 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107587192A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王飞;顾燕滨;刘洁 | 申请（专利权）人： | 宁夏银和新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06;C30B31/02 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所64103 | 代理人： | 杨丽坤,孙彦虎 |
| 地址： | 750021 宁夏回*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法，利用多晶半熔工艺铸锭，氩气作为整个铸锭过程的保护气体，在铸锭长晶生长末期，即剩余硅液高度为5～10mm时，向剩余硅液体中加入吸杂晶体，使吸杂晶体完全融化，且与硅液混合均匀，再进行铸锭再次生长，利用高浓度磷掺杂扩散的吸杂原理提升顶部硅锭少子寿命0.5～1.0us，具体是由于费米能级的影响而在重磷扩散的区域引起固浓度的提高，同时此区域重磷掺杂形成极其严重的位错，对其顶部的金属杂质在位错晶界处进行聚集吸杂，同时快速生长完成，并进行低温退火，降低退火过程中的固相反扩散，最终提升硅锭的少子寿命，以得到目标的高寿命硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 吸杂来 提升 顶部 少子 寿命 方法 | ||
【主权项】：
一种通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法，利用多晶半熔工艺铸锭，其特征在于，包括以下步骤：加入吸杂晶体：在铸锭长晶生长末期，向剩余硅液中加入吸杂晶体，使吸杂晶体完全融化，且与硅液混合均匀，得到末期的待生长铸锭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏银和新能源科技有限公司，未经宁夏银和新能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710731691.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半熔多晶铸锭尾料处理方法
- 下一篇：一类钽基稀土多酸及其纳米晶的制备方法
