[发明专利]最小死区的闭合式三维沟槽硅探测器

摘要

本发明公开了一种最小死区的闭合式三维沟槽硅探测器，包括贯穿刻蚀的空心四棱环电极和中央电极空心柱，中央电极空心柱设于空心四棱环电极的内部，中央电极空心柱与空心四棱环电极的中心轴线相同，空心四棱环电极内嵌套有八边环电极，八边环电极与空心四棱环电极的四个直角相对应的边为四分之一圆弧环，八边环电极的四分之一圆弧环与空心四棱环电极的对应直角围合成死区，八边环电极的底部与空心四棱环电极平齐，八边环电极的顶部低于空心四棱环电极，空心四棱环电极、八边环电极与中央电极空心柱之间的区域为P型或N型硅填充实体区。本发明解决了现有技术中死区面积大，影响探测器综合性能的问题。

主权项

1.一种最小死区的闭合式三维沟槽硅探测器，其特征在于，包括贯穿刻蚀的空心四棱环电极(2)和中央电极空心柱(1)，中央电极空心柱(1)设于空心四棱环电极(2)的内部，中央电极空心柱(1)与空心四棱环电极(2)的中心轴线相同，空心四棱环电极(2)内嵌套有八边环电极(3)，八边环电极(3)与空心四棱环电极(2)的四个直角相对应的边为四分之一圆弧环，八边环电极(3)的四分之一圆弧环与空心四棱环电极(2)的对应直角围合成死区(5)，所述八边环电极(3)的四分之一圆弧环与空心四棱环电极(2)的对应直角之间的距离为10μm，八边环电极(3)的底部与空心四棱环电极(2)平齐，八边环电极(3)的顶部低于空心四棱环电极(2)，空心四棱环电极(2)、八边环电极(3)与中央电极空心柱(1)之间的区域为P型或N型硅填充实体区，空心四棱环电极(2)、八边环电极(3)、中央电极空心柱(1)的上表面设有电极接触层，中央电极空心柱(1)接负极，空心四棱环电极(2)、八边环电极(3)均接正极，空心四棱环电极(2)、八边环电极(3)、中央电极空心柱(1)的底面设置有二氧化硅保护层，所述空心四棱环电极(2)、八边环电极(3)的宽度均为10μm；所述空心四棱环电极(2)、八边环电极(3)为重掺杂n+或p+型硅；所述中央电极空心柱(1)为重掺杂p+或n+型硅。