[发明专利]利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进有效
| 申请号： | 201710733330.5 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107785253B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 谭忠魁;向华;张依婷;傅乾;许青 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用侧边溅射的线边缘粗糙表面改进。提供了一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法。使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使该侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体。穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 侧边 溅射 边缘 粗糙 表面 改进 | ||
【主权项】：
一种用于在处理室中在具有侧壁粗糙表面的第一掩模下面的蚀刻层中减少侧壁粗糙表面的方法，其包括：使第一掩模的侧壁平滑，其包括：使处理气体流入所述处理室中；以及使所述处理气体在所述处理室中形成为具有足以溅射图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面并使图案化的所述第一掩模的侧壁粗糙表面平滑的能量的原位等离子体；并且穿过图案化的所述第一掩模蚀刻所述蚀刻层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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