[发明专利]用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法

摘要

本发明公开了一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，该方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出TSV通孔和硅基板；S2，在距离TSV通孔的边缘的硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离硅基板；S3，清理TSV通孔的表面；S4，在TSV通孔下方的芯片和SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与测试板接触，从而将测试力施加在芯片上，以实现芯片内部信号的量测。本发明的方法简单易操作，便于探针的连接测试，同时避免了在探针测试过程中由于探针接触到硅基板而导致信号无法施加在TSV通孔上的问题，从而显著提高了测试的效率和准确性。

主权项

一种用于TSV封装芯片的内部信号量测的方法，所述TSV封装芯片包括硅基板，所述硅基板上设置有多个TSV通孔，每个所述TSV通孔的下方均设置有芯片，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1，将待测TSV封装芯片的背面进行研磨抛光，以露出所述TSV通孔和所述硅基板；S2，在距离所述TSV通孔的边缘的所述硅基板上沉积一个SiO2薄膜区域，以隔离所述硅基板；S3，清理所述TSV通孔的表面；S4，在所述TSV通孔下方的所述芯片和所述SiO2薄膜之间沉积金属Pt；S5，在所述SiO2薄膜上沉积测试板；S6，使用探针与所述测试板接触，从而将测试力施加在所述芯片上，以实现所述芯片内部信号的量测。